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IGBT与碳化硅器件技术-陆军预研-L-SD-11

发布时间:2017-11-27 对接截止时间:2017-12-15 点击数:0 已对接企业数量:
功能用途
用于电机驱动和发电控制的功率器件
主要指标
一、研究内容: (1)芯片关键技术研究; (2)模块封装关键技术研究; (3)模块特性测试与试验验证技术。 二、技术指标: (1)1400A/1700V IGBT半桥器件主要指标 芯片采用国产芯片封装;额定电压:1700V;额定电流:1400A;IGBT结温:Tvj≥175℃; (2)450A/1700V IGBT全桥器件 芯片采用国产芯片封装;额定电压:1700V;额定电流:450A;IGBT结温:Tvj≥175℃; (3)450A/1200V SiC MOSFET半桥器件 芯片采用国产芯片封装;额定电压:1200V;额定电流:450A;SiC MOSFET结温:Tvj≥200℃; (4)200A/1700V SiC MOSFET半桥器件 芯片采用国产芯片封装;额定电压:1700V;额定电流:200A;SiC MOSFET结温:Tvj≥200℃; 三、择优方式:实物比测
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